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4631 人参与  2023-01-04 06:08:14    点这评论
自学内容： 原子结构及键合

第一章 原子结构及键合 测验

1、离子键通过（ ）成键
    a、价电子转移‍
    b、共用电子对
    c、自由电子与阳离子
    d、静电偶极吸引力

2、共价键通过（ ）成键
    a、共用电子对
    b、价电子转移
    c、自由电子与阳离子
    d、静电偶极吸引力

3、金属键通过（ ）成键
    a、自由电子与阳离子
    b、价电子转移
    c、共用电子对
    d、静电偶极吸引力

4、共价键为主的晶体：
    a、熔点高
    b、塑性差
    c、硬度低
    d、固态导电

5、金属键为主的晶体：
    a、硬度有高有低
    b、固态导电
    c、液态导电
    d、熔点都高
    e、塑性都差

6、分子键为主的晶体：
    a、硬度低
    b、熔点低
    c、固态导电
    d、塑性差

7、离子键为主的晶体：
    a、熔点高
    b、塑性差
    c、硬度低
    d、固态导电
    e、液态不导电

8、分子键有方向性

9、氢键有方向性

10、一般地离子键比共价键的键合强度大。

11、共价键有方向性

12、金属键键合强度相差很大。

13、金属键有方向性

第一章 晶体的结构（一）：晶体结构与空间点阵

第一章 晶体的结构（一）：测验

1、立方晶系包括：
    a、简单立方
    b、面心立方
    c、体心立方
    d、底心立方

2、正交晶系包括：
    a、简单正交
    b、底心正交
    c、面心正交
    d、体心正交

3、晶体结构有无数多种。

4、晶体结构和空间点阵中的点都表示原子。

5、相似的晶体结构可属于不同点阵。

6、差别很大的晶体结构可以属于同一点阵。

7、空间点阵可以划分为七大晶系，包括14种点阵类型。

8、按照不同法则，点阵中可以选取多种不同的基本单元体。

9、晶胞就是点阵中最小的单元体。

10、布拉菲点阵中的格点是等同的

第二章 固体结构（一）：典型的晶体结构

第二章 晶体的结构（三）：测验

1、面心立方、体心立方和密排六方的配位数分别为
    a、74％、68％、74％
    b、68％、68%、68%
    c、68％、74%、68%
    d、74％、74%、74%

2、体心立方八面体间隙和四面体间隙大小rb/ra分别为
    a、0.15、0.29
    b、0.29、0.15
    c、0.414、0.15
    d、0.414、0.29

3、面心立方、体心立方、密排六方的八面体间隙和四面体间隙大小rb/ra
    a、面心立方与密排六方相同
    b、面心立方与体心立方相同
    c、密排六方与体心立方相同
    d、都不相同

4、体心立方密排面、密排方向分别为
    a、{110}, <111>
    b、{100}, <111>
    c、{111}, <110>
    d、{111}, <111>

5、面心立方、体心立方和密排六方的晶胞原子数分别为
    a、4、2、6
    b、4、2、4
    c、2、4、4
    d、4、4、6

6、面心立方八面体间隙和四面体间隙大小rb/ra分别为
    a、0.414、0.225
    b、0.414、0.15
    c、0.29、0.15
    d、0.414、0.29

7、面心立方密排面、密排方向分别为
    a、{111}, <110>
    b、{110}, <111>
    c、{100}, <111>
    d、{111}, <111>

8、面心立方密排面的堆垛方向和次序为
    a、<111>, abc
    b、<110>, abc
    c、{111}, ab
    d、[001], ab

9、体心立方密排面的堆垛方向和次序为
    a、<110>, ab
    b、<110>, abc
    c、{111}, ab
    d、[001], abc

第四章 面缺陷

第三章 晶体缺陷（九）：测验

1、小角度晶界是位向差小于10°的晶界

2、相界两侧是异质的（不同的固体相之间的分界面）

3、表面指是不同态（固态与气态、液态）物质之间的分界面

4、层错是原子堆垛顺序发生错误形成的分界面

5、孪晶面是孪晶的对称面，属于孪晶界的一部分

6、亚晶界是亚晶粒之间的分界面

7、按界面两侧是否同种介质，可分为晶界和相界

8、小角度晶界可以理解为位错墙

9、孪晶面上的原子为两侧孪晶所共有

10、按界面两侧原子匹配程度分，可分为共格、半共格和非共格界面

11、按界面两侧晶体的位向差大小分类，可分为小角晶界和大角晶界

12、孪晶界是孪晶之间的分界面

13、与孪晶面不重合的孪晶界是非共格界面

14、小角晶界中位错密度越大，位向差越大

15、小角晶界中位错密度越大，晶界能越大

16、大角晶界畸变能大于小角晶界，所以大角晶界的晶界能较高

17、晶界两侧是同质的（相同的固体相之间的分界面）

18、层错不产生晶格畸变

19、孪晶面是共格界面

20、亚晶之间的位向差一般小于10°，所以亚晶界往往是小角度晶界

21、小角晶界中位向差越大，晶界能越大

第二章 固体的结构（二）：固体中的相

第四章 固体中的相：测验

1、非晶相的形成条件包括
    a、熔融态的粘度
    b、冷却速度
    c、原子尺寸大小
    d、晶体结构

2、影响间隙固溶体的固溶度的因素有
    a、电负性
    b、原子半径差
    c、组元晶体结构
    d、电子浓度

3、固体中的相是指
    a、结构相同
    b、性质相同
    c、聚集状态相同
    d、均匀体

4、影响置换固溶体的固溶度的因素有
    a、电负性
    b、原子半径差
    c、组元晶体结构
    d、电子浓度

5、晶态的陶瓷材料的特点包括
    a、以离子键为主
    b、原子比例比较严格，可以用分子式表示
    c、典型的非金属性质
    d、以共价键为主

6、硅酸盐结构包括
    a、岛状硅酸盐
    b、链状硅酸盐
    c、层状硅酸盐
    d、网状硅酸盐

7、影响间隙固溶体固溶度的因素主要是原子尺寸差，另外组元晶体结构、电负性和原子价也有影响

8、对某一个具体的固溶体而言，并非所有影响固溶度的因素都起作用

9、影响间隙固溶体固溶度的因素只有原子尺寸差

10、固溶体与化合物都是两种或多种原子混合形成的，若不形成新晶体结构，则为固溶体，若形成了新晶体结构，则为化合物

11、电负性差异越大，异类原子结合力越大，容易形成化合物

12、相是结构、性质、聚集状态相同的均匀体，不涉及形貌

13、化合物中同类原子之间结合力大，因而化合物的结构往往是有序的

14、固溶体中异类原子间结合力越大，固溶体的有序度（有序的范围和有序程度）越大

15、化合物中原子严格按比例结合，不存在偏差，因而可以用分子式表示

16、固溶体中同类原子之间结合力小，往往形成是有序固溶体

结业考试

材料科学基础（上）期末考试

1、影响间隙固溶体的固溶度最主要的因素有
    a、原子半径差
    b、电负性
    c、组元晶体结构
    d、电子浓度

2、面心立方、体心立方和密排六方的晶胞原子数分别为
    a、4、2、6
    b、4、2、4
    c、2、4、4
    d、4、4、6

3、混合位错的柏氏矢量
    a、与位错线不平行，也不垂直
    b、与位错线垂直
    c、与位错线平行
    d、与位错线正方向无关

4、面心立方、体心立方和密排六方的配位数分别为
    a、12、8、12
    b、8、8、6
    c、12、12、12
    d、12、6、8

5、体心立方八面体间隙和四面体间隙大小rb/ra分别为
    a、0.15、0.29
    b、0.414、0.15
    c、0.29、0.15
    d、0.414、0.29

6、面心立方密排面、密排方向分别为
    a、{111}, <110>
    b、{110}, <111>
    c、{100}, <111>
    d、{111}, <111>

7、同号、平行位错之间相互
    a、排斥
    b、吸引
    c、缠绕
    d、交割

8、立方晶系包括________种点
    a、3种
    b、2种
    c、1种
    d、4种

9、全位错是
    a、柏氏矢量等于点阵矢量整数倍
    b、柏氏矢量等于点阵矢量
    c、柏氏矢量小于点阵矢量
    d、柏氏矢量不等于点阵矢量

10、部分位错是
    a、柏氏矢量小于点阵矢量
    b、柏氏矢量等于点阵矢量整数倍
    c、柏氏矢量等于点阵矢量
    d、柏氏矢量大于点阵矢量

11、立方晶系中，具有完全相同指数的晶向与晶面
    a、相互垂直
    b、相互平行
    c、45°相交
    d、夹角不确定

12、堆垛层错
    a、是面缺陷
    b、无畸变能
    c、对晶体没有影响
    d、引起较大的畸变

13、非立方晶系中，具有完全相同指数的晶向与晶面
    a、有可能相互垂直
    b、有可能相互平行
    c、45°相交
    d、夹角不确定

14、面心立方、体心立方和密排六方的致密度分别为
    a、74％、68％、74％
    b、68％、68%、68%
    c、68％、74%、68%
    d、74％、74%、74%

15、面心立方八面体间隙和四面体间隙大小rb/ra分别为
    a、0.414、0.225
    b、0.414、0.15
    c、0.29、0.15
    d、0.414、0.29

16、面心立方、体心立方、密排六方的八面体间隙和四面体间隙大小rb/ra
    a、面心立方与密排六方相同
    b、面心立方与体心立方相同
    c、密排六方与体心立方相同
    d、都不相同

17、刃位错的柏氏矢量
    a、与位错线垂直
    b、与位错线平行
    c、与位错线不平行，也不垂直
    d、与位错线正方向无关

18、螺位错的柏氏矢量
    a、与位错线平行
    b、与位错线不平行，也不垂直
    c、与位错线垂直
    d、与位错线正方向无关

19、异号、平行位错之间相互
    a、吸引
    b、排斥
    c、缠绕
    d、交割

20、单位位错是
    a、柏氏矢量等于点阵矢量
    b、柏氏矢量等于点阵矢量数倍
    c、柏氏矢量小于点阵矢量
    d、柏氏矢量不等于点阵矢量

21、六方晶系包括________点阵
    a、简单六方
    b、密排六方
    c、底心六方
    d、体心六方

22、点阵常数为a的面心立方晶体中，（100）晶面间距为
    a、
    b、
    c、
    d、a

23、体心立方密排面、密排方向分别为
    a、{110}, <111>
    b、{111}, <110>
    c、{100}, <111>
    d、{111}, <111>

24、面心立方密排面的堆垛方向和次序为
    a、<111>, abc
    b、<110>, abc
    c、{111}, ab
    d、[001], ab

25、体心立方密排面的堆垛方向和次序为
    a、<110>, ab
    b、<110>, abc
    c、{111}, ab
    d、[001], abc

26、位错是
    a、一维缺陷
    b、线形缺陷
    c、二个方向上尺寸很小
    d、热力学平衡缺陷

27、柏氏矢量
    a、反映畸变的大小
    b、反映畸变的方向
    c、与标定用的柏氏回路大小、形状无关
    d、与位错线方向有关

28、刃位错的滑移是
    a、依次逐排的运动
    b、正、负刃位错运动方向相反
    c、原子面上的整体平移
    d、能在任意经过位错线的原子面上运动

29、混合位错滑移
    a、滑移量＝柏氏矢量的模
    b、位错线沿法线方向运动
    c、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分
    d、需要外力平行于位错线或具有平行的分量

30、混合位错的应力场
    a、可分解为刃型位错分量和螺型位错分量
    b、既有正应力，也有切应力
    c、远离位错线时，应力场逐渐减弱
    d、轴向对称，与θ角无关

31、作用在螺位错线上的力
    a、垂直位错线
    b、与柏氏矢量大小有关
    c、总是与外力方向相同
    d、就是外加切应力

32、作用在混合位错线上的力
    a、垂直位错线
    b、与柏氏矢量大小有关
    c、总是与外力方向相同
    d、就是外加切应力

33、正交晶系包括
    a、简单正交
    b、底心正交
    c、面心正交
    d、体心正交

34、刃位错滑移
    a、滑移量＝柏氏矢量的模
    b、滑移面唯一
    c、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量
    d、需要外力垂直于位错线或具有垂直的分量

35、螺位错滑移
    a、滑移量＝柏氏矢量的模
    b、滑移面不唯一
    c、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量
    d、需要外力平行于位错线或具有平行的分量

36、研究位错应力场的基本假设包括
    a、完全弹性体，服从胡可定律
    b、各向同性
    c、连续介质，可以用连续函数表达
    d、可研究位错线核心区至外围全范围

37、螺位错的应力场
    a、是纯剪切应力场
    b、沿z方向建立模型时，仅有z方向的切应力，正应力为零
    c、远离位错线时，应力场逐渐减弱
    d、与θ角无关

38、点缺陷种类包括
    a、弗兰克缺陷
    b、肖脱基缺陷
    c、反位原子
    d、空位片

39、影响化合物类型的因素有
    a、电负性
    b、原子半径差
    c、组元晶体结构
    d、电子浓度

40、螺位错的滑移是
    a、依次逐排的运动
    b、左螺、右螺位错运动方向相反
    c、能在任意经过位错线的原子面上运动
    d、原子面上的整体平移

41、晶态的陶瓷材料的特点包括
    a、以离子键为主
    b、原子比例比较严格，可以用分子式表示
    c、典型的非金属性质
    d、以共价键为

42、硅酸盐结构包括
    a、岛状硅酸盐
    b、链状硅酸盐
    c、层状硅酸盐
    d、网状硅酸盐

43、刃位错的应力场
    a、既有正应力，也有切应力
    b、沿z方向建立模型时，与z方向有关的切应力为零
    c、远离位错线时，应力场逐渐减弱
    d、含半原子面部分为压应力区，不含半原子面部分为拉应力区

44、作用在刃位错线上的力
    a、垂直位错线
    b、与柏氏矢量大小有关
    c、总是与外力方向相同
    d、就是外加切应力

45、位错线张力
    a、使位错自发收缩
    b、与位错柏氏矢量大小有关
    c、是一虚拟力
    d、方向垂直与位错线

46、小角度晶界包括
    a、对称倾侧
    b、不对称倾侧
    c、扭转晶界
    d、相界

47、影响置换固溶体的固溶度的因素有
    a、电负性
    b、原子半径差
    c、组元晶体结构
    d、电子浓度

48、非晶相的形成条件包括
    a、熔融态的粘度
    b、冷却速度
    c、原子尺寸大小
    d、晶体结构

49、点缺陷种类包括
    a、空位
    b、间隙原子
    c、溶质原子
    d、杂质原子

50、点缺陷使晶体的
    a、电阻升高
    b、改变电子状态
    c、引起点阵畸变
    d、强度升高

51、位错类型包括
    a、螺位错
    b、刃位错
    c、混合位错
    d、位错环

52、固体中的相是指
    a、结构相同
    b、性质相同
    c、聚集状态相同
    d、均匀体

53、影响间隙固溶体固溶度的因素只有原子尺寸差

54、差别很大的晶体结构可以属于同一点阵

55、点缺陷是热力学平衡缺陷

56、空位可以被完全消除。

57、一根位错先不能终止与晶体内部。

58、半原子面缩短是正攀移

59、攀移和交滑移都是躲避障碍物的运动方式

60、具有同样柏氏矢量的刃位错与螺位错，刃位错的应变能较高

61、作用在位错线上的力是实际推动位错运动的力

62、位错可能通过攀移或交滑移绕过障碍物，减轻位错塞积

63、f-r源开动临界切应力值与固定点间距大小有关

64、f-r源中位错线弯曲成半圆状态时，所需外应力最小

65、晶体结构有无数多种

66、肖克莱不全位错线一定是平面曲线

67、点阵中，按照不同法则，可以选取多种不同的基本单元体

68、小角度晶界可以理解为位错墙

69、晶体结构和空间点阵中的点都表示原子

70、层错是原子堆垛顺序发生错误形成的分界面

71、孪晶面上的原子为两侧孪晶所共有

72、亚晶界是亚晶粒之间的分界面

73、亚晶之间的位向差一般小于10°，所以亚晶界往往是小角度晶界

74、小角晶界中位错密度越大，位向差越大

75、相是结构、性质、聚集状态相同的均匀体，不涉及形貌

76、固溶体与化合物都是两种或多种原子混合形成的，若不形成新晶体结构，则为固溶体，若形成了新晶体结构，则为化合物

77、随着位错线的弯曲，柏氏矢量是可变的。

78、影响间隙固溶体固溶度的因素主要是原子尺寸差，另外组元晶体结构、电负性和原子价也有影响

79、化合物中原子严格按比例结合，不存在偏差，因而可以用分子式表示

80、只有螺位错才能发生攀移

81、位错的应变能越高，位错稳定性越好

82、间隙固溶体中，溶质原子越多，则占据间隙越多，剩余间隙越少，因此使得扩散系数下降

83、同号、平行位错相互靠近可降低体系能量

84、位错塞积必然阻碍位错运动

85、溶质原子浓度越高，扩散速度必然较快

86、f-r源开动需要克服一定的临界阻力（势垒）

87、f-r源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力

88、f-r源中位错线弯曲成半圆状态时，两端点位错必为同性质、异号位错

89、相似的晶体结构可属于不同点阵

90、空间点阵可以划分为七大晶系，包括14种点阵类型

91、fcc晶体中，单位位错的模可以不同

92、不全位错是局部层错的边界

93、位错反应肯定是合并，这样才能降低体系自由能

94、位错反应实质上是应变场的拆分和合并

95、扩展位错越宽，畸变能越低

96、小角晶界中位错密度越大，晶界能越大

97、小角晶界中位向差越大，晶界能越大

98、一个柏氏回路只要包含的位错没有变，则无论柏氏回路的大小、形状、位置如何变化，所得的柏氏矢量不变。

99、大角晶界畸变能大于小角晶界，所以大角晶界的晶界能较高

100、位错的密度可以分为体密度和面密度。

101、按界面两侧是否同种介质，可分为晶界和相界

102、混合位错就是既有螺型位错分量，又有刃型位错分量的位错。

103、只有刃位错才能攀移

104、刃位错的攀移和交滑移都是守恒运动

105、电负性差异越大，异类原子结合力越大，容易形成化合物

106、攀移对塑性变形没有意义

107、化合物中同类原子之间结合力大，因而化合物的结构往往是有序的

108、交滑移可以躲避障碍物，有利于塑性变形

109、固溶体中同类原子之间结合力小，往往形成是有序固溶体

110、固溶体中异类原子间结合力越大，固溶体的有序度（有序的范围和有序程度）越大

111、柏氏矢量的模越小，位错的应变能越高

112、扩散通量为零时，扩散系数也必然为零

113、作用在位错线上的力与位错宽度有关

114、若溶质原子提高基体的熔点，将是扩散系数升高

115、位错塞积是位错与面缺陷间的弹性交互作用

116、位错源只有frank-read这一种类型

117、f-r源中位错线弯曲成半圆状态时，回缩力最小

118、以ab为堆垛周期的原子面也可以产生层错

119、模越小的单位位错，稳定性越

120、若位错反应能够自发进行，不一定需要使反应前后的柏氏矢量和相等

121、小角度晶界是位向差小于10°的晶界

122、晶界两侧是同质的（相同的固体相之间的分界面）

123、表面指是不同态（固态与气态、液态）物质之间的分界面

124、孪晶面是孪晶的对称面，属于孪晶界的一部分

125、与孪晶面不重合的孪晶界是非共格界面

126、按界面两侧原子匹配程度分，可分为共格、半共格和非共格界面

127、对某一个具体的固溶体而言，并非所有影响固溶度的因素都起作用

128、晶体化合物中，非本征缺陷少，因此非本征扩散是次要机制

129、晶胞就是点阵中最小的单元体

130、完整晶体中是不含空位的

131、螺位错的交滑移和滑移都是守恒运动

132、只有刃位错才能发生交滑移

133、攀移对塑性变形没有直接作用，但可以使滑移继续

134、位错引起点阵畸变，因而必然具有应变能

135、位错线附近区域畸变严重，因而不符合连续介质模型的相关假设

136、作用在位错线上的力与外力大小有关

137、位错线张力类似与液体表明张力

138、位错线张力的作用是降低体系能量

139、位错线引起的畸变越大，线张力越强

140、异号、平行位错相互靠近可降低体系能量

141、位错交割后，必然在位错线上形成拐弯

142、位错交割产生的位错线拐弯必然对位错的后续运动产生影响

143、位错塞积引起的集中应力大小与外应力大小相同

144、位错增殖机制可以使晶体中的位错密度提高数个数量级

145、f-r源中位错线弯曲成半圆状态时，两端点位错运动方向必定同向

146、只有密排面才能产生层错

147、弗兰克不全位错是螺位错

148、若位错反应能够自发进行，必然使体系自由能降低

149、相界两侧是异质的（不同的固体相之间的分界面）

150、层错不产生晶格畸变

151、孪晶面是共格界面

152、孪晶界是孪晶之间的分界面

153、按界面两侧晶体的位向差大小分类，可分为小角晶界和大角晶界

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